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Título [Principal]: Estudos de dinamica molecular aplicados ao crescimento epitaxial e nanoindexação
Título [Outro Idioma]: Studie pf molecular dynamics applied to the epitaxial growth and nanoindentation
Autor(es): Zenner Silva Pereira
Palavras-chave [PT]:

Filmes finos , Crescimento epitaxial , Nanoindentação
Palavras-chave [EN]:
Thin films , Epitaxial growth , Nanoindentation ,
Área de concentração: Fisica da Materia Condensada
Titulação: Mestre em Fisica
Banca:
Edison Zacarias da Silva [Orientador]
Antonio Jose Roque da Silva
Abner de Siervo

Resumo:
Resumo: Nós apresentamos nesse trabalho dois assuntos relevantes na atualidade:Crescimento de filmes finos metálicos e nanoindentação.Estudamos esses sistemas utilizando dinâmica molecular com potenciais empíricos. Nós mostramos que é possível modelar o crescimento epitaxial utilizando potenciais adequados e uma específica metodologia de deposição. No crescimento de filmes finos estudamos três sistemas utilizando o potencial EAM:Cu/Ag(001),Cu/Au(001) e Pd/Au(001). Para Cu sobre Au e Cu sobre Ag obtivemos resultados de acordo com experimentos anteriores. Enfatizamos que a temperatura e a espessura do filme depositado estão relacionadas com as estruturas apresentadas durante o crescimento. Mostramos que a princípio o filme cresce sob stress numa fase instável bcc, porém ao atingir uma espessura crítica relaxa numa estrutura bct. Então, após a relaxação o filme apresenta um padrão de deformação (stripes). A Relação entre temperatura espessura e porcentagem de átomos nucleados bcc foi quantificada num gráfico. Para o caso Pd sobre Au mostramos que o crescimento resultou num padrão de deformação após atingir 11 camadas. Analisamos as estruturas e indentificamos defeitos tipo "falhas de empilhamento ". Para a modelagem de sistemas semicondutores nós utilizamos o potencial de Terso ..Com um indentador esférico de diamante indentamos uma superfície de silício.Um gráfico de deslocamento do indentador em função da pressão é apresentado. Analisamos o número de coordenação dos átomos de silício quando o indentador atingiu certos valores de pressão.

Abstract: In this work we present two important and current subjects:Metalic thin .lms and nanoindentation. We studied these systems using molecular dynamics with empirical potentials. We showed that it is possible to model the epitaxial growth using a suitable potential and a specific methodology for deposition.Concerning the growth of thin films,we studied three systems using EAM potential:Cu/Ag(001),Cu/Au(001)and Pd/Au(001).For Cu on Au and Cu on Ag,our results are in agreement with previous experiments. We stress that the existence of a bcc and bcc/bct are related to temperature and thickness of the deposited film. We showed that during the deposition of the first few layers,the film grows under stress to form an unstable bcc phase,but after a critical thickness it relaxes in a bct structure.Then,when the film is relaxed it presentes a deformation pattern (stripes). The relationships between temperature,thickness and formed structures are presented. For the case of Pd on Au the growth resulted in a deformation pattern after we deposited 11 mono-layers. We analysed the structures and found defect types known as stacking faults. To model semiconductors systems we used the Tersoff potential. We indented a surface of silicon with a spheric indenter of diamond.A graph of dislocation as function of pressure for the indenter is presented. We analysed the coordination number of silicon atoms when the indenter reached specific values of pressure
Data de Defesa: 06/03/2009
Código: 000439225
Informações adicionais:
Idioma: Português
Data de Publicação: 2009
Local de Publicação: Campinas, SP
Orientador: Edison Zacarias da Silva
Instituição: Universidade Estadual de Campinas . Instituto de Fisica Gleb Wataghin
Nível: Dissertação (mestrado)
UNICAMP: Programa de Pós-Graduação em Física

Dono: ifgw_vs
Criado: 05-05-2009 14:12
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